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> 厂商新闻《存储芯片板块集体拉升！中国技术赶超韩国，1400亿市场再提速》特朗普继续对日本施压：日本需要开放市场 时间：2025-09-02 17:15

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9月1日，A股存储芯片板块拉升，有方科技（688159.SH）上涨12.48%，灿芯股份（688691）上涨12.65%，全志科技（300458.SZ）上涨12.08%，兆易创新（603986.SH）、博杰股份（002975.SZ）、万润科技（002654.SZ）实现10CM涨停。

消息面上，韩国科学技术评估与规划研究院（KISTEP）最新报告显示，中国在半导体领域的主导地位已延伸至存储芯片领域，超越韩国。基于2024年对39位韩国半导体专家的调查，中国在存储芯片技术方面已超过韩国，但韩国三星和SK海力士仍占据领先地位。目前，中国在全球半导体领域排名第二，仅次于美国。





从“追赶”向“齐头并进”转型

‌存储芯片‌是一种利用半导体技术实现数据存储的集成电路，核心功能是通过物理结构变化（如电荷、磁性或电阻状态）记录和读取二进制数据，广泛应用于计算机、智能终端及工业控制等领域。

目前，中国存储芯片产业近年来在政策支持、技术突破和市场需求驱动下，正经历从“追赶”向“齐头并进”的关键转型。

政策端，《“十四五”数字经济发展规划》首次将存储芯片纳入国家数字经济核心基础设施，提出“突破高端存储芯片设计技术”，推动企业提升自主研发能力；《“十四五”信息通信行业发展规划》明确要求“提升存储芯片国产化率”，为行业设定量化目标，加速国产替代进程；《算力基础设施高质量发展行动计划》强调“突破存储系统关键技术”，支持存储芯片与数据中心、边缘计算等场景深度融合。

在政策支持下，我国存储芯片核心技术加速迭代。其中，长江存储已实现192层3D NAND量产，单位存储密度提升40%，成本下降12%，并计划在2026年推出294层堆叠的X4-9070芯片，接口速度达3600 MT/s；长鑫存储DDR5产品性能与韩国企业持平，1β工艺良率突破 85%，2025年DRAM产能跃升至月产20万片，全球份额从2024年的2%提升至5%。

相关数据显示，2025年国内存储芯片市场规模预计突破1400亿元，同比增长17.6%，显著高于2024年的13.2%。到2030年，中国存储芯片全球份额有望从当前的10%提升至25%以上，成为全球增长最快的市场之一。

多细分赛道赶超韩国

中国市场的快增长，引起全球芯片行业的关注。

上述报告显示，韩国给中国芯片相关细分赛道进行了评分。其中，中国在高密度电阻式存储器技术得分达94.1%，超过韩国的90.9%；在高性能低功耗人工智能半导体技术方面，中国得分88.3%，超过韩国的84.1%；在功率半导体方面，中国得分79.8%，大幅超过韩国的67.5%；在下一代高性能传感技术方面，中国得分83.9%，而韩国为81.3%。两国仅在先进封装技术领域实力相当，基础能力得分均74.2%。

评分不仅体现了中国在存储芯片领域的快速进步，也彰显了其在全球芯片行业中的竞争力日益增强。尤为值得一提的是，在高密度电阻式存储器、高性能低功耗人工智能半导体等关键技术领域，中国的得分超越韩国，意味着中国在这些前沿技术上已经具备了与国际顶尖水平相抗衡的实力。这不仅为中国芯片行业的发展注入了强大动力，也为全球芯片产业的多元化竞争格局带来了新的变量。

同时，中国芯片企业在功率半导体和下一代高性能传感技术等方面的显著优势，进一步巩固了其在全球芯片产业链中的重要地位。这些领域的突破，不仅有助于提升中国芯片的整体性能和质量，也为国内外客户提供了更多样化、更高质量的选择。

根据当前市场现状，尽管美国实施出口限制，中国半导体公司市场份额仍在增加，技术差距逐渐缩小。中国存储器制造商在DDR5内存生产方面虽仍落后于三星、SK海力士和美光科技，但进步显著。

相关公司价值凸显

根据同花顺，目前，A股存储芯片成分股有109只，板块总市值达2.85万亿，上百家企业共同组成存储芯片板块，共同赋予板块价值。

其中，有方科技的核心产品包括N5100存储产品、NeoHyper 2500分布式全闪存存储、NeoVast 2300分布式海量存储系统。并与瑞驰信息（分布式存储软件）、大普微电子（企业级SSD主控芯片）签署合作协议，联合开发ARM高密度存储服务器、阵列式AI服务器等产品。

据悉，公司2025年计划推出基于Chiplet技术的HBM（高带宽存储）适配方案，切入AI服务器市场。

灿芯股份的存储芯片板块业务并非传统意义上的存储芯片制造，而是聚焦于存储接口IP设计、控制器芯片定制及系统级解决方案开发。其分布式存储服务器适配为新疆移动智算中心提供的NeoHyper 2500全闪存存储系统，采用灿芯DDR4 IP实现3600 MT/s接口速度，配合NVMe-oF协议，4K随机读写性能达1750K IOPS，满足AI训练对高带宽的需求；车规级存储控制模块为比亚迪智驾提供的车载存储控制器，集成LPDDR4 IP与MRAM控制逻辑，支持L3级自动驾驶200GB/s 数据吞吐，通过AEC-Q100 Grade 2认证，故障率低于10ppm。

兆易创新的存储芯片业务以NOR Flash 为核心优势，NAND Flash和利基型DRAM为战略增长点，形成覆盖消费电子、汽车电子、工业控制等多领域的全栈解决方案。在NOR Flash方面，公司占据全球第二的技术壁垒与市场地位，产品容量从512Kb到2Gb，支持1.2V/1.8V/3V等多电压规格，覆盖高性能、低功耗、高可靠性三大方向。

兆易创新预计在2025年率先实现45nm SPI NOR Flash大规模量产，存储密度提升30%，成本降低20%，成为全球少数掌握该工艺的厂商之一。

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